内存时序--命令、状态

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命令

命令字状态转换

具体时序参数

命令

内存的读写也是由命令控制，只是这些命令由 信号组合而成，并非协议报文之类，在了解时序前先了解各个命令的基本定义。从某内存颗粒手册截取如下：

图1 内存命令字定义

根据图1 内存命令字定义，我们就比较容易看出下图标识active等的来源：

例如，对于active :下图中CS RAS为低；CAS WE为高，其他命令字依次类推。这就是我们在查看手册时序的基础。比如ACTIVE to WRITE 需要两个时钟周期等。

当然，现在很多颗粒手册写的比较简洁明了：例如 上述的信号标识的命令在下图中直接以文字标识出。

命令字状态转换

在内存访问时，各个命令字交替发出。每个命令字前后需要什么命令字操作都有些要求。以本CPU手册为例，其定义过程如下：

通过此段的描述，我们可以得出类似下面这样一个状态转换图：

这个图的核心为precharge，核心器件为sense amplifier。

--》读、写后 将数据从sense amplifier 存入到具体的行中。

--> 刷新前，先要保证sense amplifier被初始化。这样才能存储刷新时存储的数据。

此时，我们再查看此图，其有一个Activate----》Write--》deactive(precharge)的过程

具体时序参数

具体时序参数，有时简称，有时全称，全靠名字不太好确认，在理解上述概念后，再看具体参数就比较容易入手。

此外在具体时序参数时，要特别关注单板 内存控制器具体采用的时钟频率。

例如某内存颗粒支持的频率如下：

而我们实际上给内存控制器的时钟为66M，那么对于颗粒手册中提及的参数单位 为clock的要注意。例如此处说明 2个ck，是在一个CK为7.5ns的情况下。

以下内容待完善，暂时记录

CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可能的选项：1.5/2/2.5/3） BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3” 几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5） BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小，性能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”（可能的选项：2/3/4） BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15） BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等